量子ドットの形成方法

開放特許情報番号
L2007000207
開放特許情報登録日
2007/1/26
最新更新日
2011/10/21

基本情報

出願番号 特願2004-262638
出願日 2004/9/9
出願人 国立大学法人電気通信大学
公開番号 特開2006-080293
公開日 2006/3/23
登録番号 特許第4825965号
特許権者 国立大学法人電気通信大学
発明の名称 量子ドットの形成方法
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 光電子デバイス、光通信波長帯の高性能な半導体レーザ
目的 量子ドット同士のコアレッセンスを防止しつつ、高均一かつ高密度の量子ドットを形成する方法の提供。
効果 コアレッセンスの発生を抑制しつつ、現実のデバイス応用に適した高密度かつ高均一な量子ドットを自己形成することができる。
技術概要
この技術では、GaAs基板上に、GaAsバッファ層を形成し、GaAsバッファ層上に、GaSb↓xAs↓(1−x)(0<x≦1)層を導入し、GaSb↓xAs↓(1−x)(0<x≦1)層上に、InAs量子ドットを自己形成する。たとえば、アンチモン(Sb)の組成xをx=1にして、0.24〜1.52ML厚のGaSb層を導入する場合は、GaSb層上にInAs量子ドットを、1.1×10↑(11)cm↑(−2)以上のドット密度で、高均一に自己形成できる。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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