| 出願番号 |
特願2004-262638 |
| 出願日 |
2004/9/9 |
| 出願人 |
国立大学法人電気通信大学 |
| 公開番号 |
特開2006-080293 |
| 公開日 |
2006/3/23 |
| 登録番号 |
特許第4825965号 |
| 特許権者 |
国立大学法人電気通信大学 |
| 発明の名称 |
量子ドットの形成方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
光電子デバイス、光通信波長帯の高性能な半導体レーザ |
| 目的 |
量子ドット同士のコアレッセンスを防止しつつ、高均一かつ高密度の量子ドットを形成する方法の提供。 |
| 効果 |
コアレッセンスの発生を抑制しつつ、現実のデバイス応用に適した高密度かつ高均一な量子ドットを自己形成することができる。 |
技術概要
 |
この技術では、ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓバッファ層を形成し、ＧａＡｓバッファ層上に、ＧａＳｂ↓ｘＡｓ↓（１−ｘ）（０＜ｘ≦１）層を導入し、ＧａＳｂ↓ｘＡｓ↓（１−ｘ）（０＜ｘ≦１）層上に、ＩｎＡｓ量子ドットを自己形成する。たとえば、アンチモン（Ｓｂ）の組成ｘをｘ＝１にして、０．２４〜１．５２ＭＬ厚のＧａＳｂ層を導入する場合は、ＧａＳｂ層上にＩｎＡｓ量子ドットを、１．１×１０↑（１１）ｃｍ↑（−２）以上のドット密度で、高均一に自己形成できる。 |
| 実施実績 |
【試作】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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