導電性高分子薄膜複合体

開放特許情報番号
L2007000177
開放特許情報登録日
2007/1/19
最新更新日
2011/1/28

基本情報

出願番号 特願2005-513639
出願日 2004/8/31
出願人 国立大学法人信州大学
公開番号 WO2005/024852
公開日 2005/3/17
登録番号 特許第4639336号
特許権者 国立大学法人信州大学
発明の名称 導電性高分子薄膜複合体
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 電界電子放出体、太陽電池、光センサ
目的 薄膜状に形成でき、電界電子放出体、太陽電池、光センサ等に好適に用いることのできる導電性高分子薄膜複合体の提供。
効果 薄膜状に形成でき、電界電子放出体、太陽電池、光センサ等に好適に用いることのできる導電性高分子薄膜複合体を提供できる。
技術概要
この技術では、金属酸化物半導体膜は、固体膜であることから、第1の電極を覆ってこの個体膜である金属酸化物半導体膜をスパッタリング等によって形成した後、この金属酸化物半導体膜上に、CNTを分散させた導電性高分子を薄く塗布するようにして導電性高分子薄膜を形成する。従って、導電性高分子薄膜中のCNTは、金属酸化物半導体膜に遮られ、第1の電極方向へは突出しないことになる。すなわち、CNTの一方の端部は、第1の電極方向に向くが、第1の電極とは、金属酸化物半導体膜の僅かな厚さ分(数nm〜10μm)だけ隔てて(ギャップ)第1の電極と対峙することとなり、これにより電子放出特性が向上する。尚、導電性高分子薄膜および金属酸化物半導体膜の厚さは10nm〜10μmにすると好適であり、導電性高分子に対するCNTの配合割合は10wt%以下が好適である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 株式会社信州TLO

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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