| 出願番号 |
特願2004-334447 |
| 出願日 |
2004/11/18 |
| 出願人 |
国立大学法人信州大学 |
| 公開番号 |
特開2006-147280 |
| 公開日 |
2006/6/8 |
| 登録番号 |
特許第3997305号 |
| 特許権者 |
国立大学法人信州大学 |
| 発明の名称 |
ｎｐタンデム型色素増感太陽電池 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
ブロックコポリマー、非イオン性界面活性剤、カーボンナノファイバー |
| 目的 |
ｐサイドの電気的抵抗を低減することにより、ｐサイドの変換効率を向上させて、太陽電池全体としての変換効率を向上可能なｎｐタンデム型色素増感太陽電池の提供。 |
| 効果 |
アノード基板については光透過性を備えた基板を用いるが、カソード基板については、基板面あるいは全体が金属製の基板を用いることにより、カソード基板の電気的抵抗を低減してある。このため、ｐサイドの変換効率を向上することができるので、ｎｐタンデム型色素増感太陽電池の全体としての変換効率を向上することができる。 |
技術概要
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アノード基板、色素増感ｎ型半導体層、電解質層、色素増感ｐ型半導体層、カソード基板がこの順に配置されたｎｐタンデム型色素増感太陽電池において、この技術では、アノード基板は、光透過性基板であり、カソード基板は、少なくとも、色素増感ｐ型半導体層が形成された基板面が金属製の基板とする。本技術では、ｎサイドから光を入射させるので、アノード基板については光透過性を備えた基板を用いるが、カソード基板については、基板面あるいは全体が金属製の基板を用いることにより、カソード基板の電気的抵抗を低減してある。このため、ｐサイドの変換効率を向上することができるので、ｎｐタンデム型色素増感太陽電池の全体としての変換効率を向上することができる。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)