電界効果トランジスタ及びその製造方法

開放特許情報番号
L2006007448
開放特許情報登録日
2006/12/22
最新更新日
2015/9/25

基本情報

出願番号 特願2006-267482
出願日 2006/9/29
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-091394
公開日 2008/4/17
登録番号 特許第5126733号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 電界効果トランジスタ及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 窒化物半導体材料、電子デバイス、電界効果トランジスタ
目的 しきい電圧の制御可能であり、ノーマリーオフ特性を持つエンハンスメント形の窒化物半導体からなるヘテロ接合を有する電界効果トランジスタ及びその製造方法の提供。
効果 ヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタにおいて、p型InGaN層をゲート領域のバリア層に積層した層構造を有することで、しきい電圧の制御可能となり、ノーマリーオフ動作が可能となる。
技術概要
この技術では、窒化物半導体からなるバリア層とチャネル層のヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタにおいて、p型InGaN層が、ゲート領域のバリア層に積層した構造を有するものとする。また、窒化物半導体からなるバリア層とチャネル層のヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタにおいて、バリア層のゲート領域にリセス構造を備え、p型InGaN層が、前記リセス構造部のバリア層上に積層された構造を有するヘテロ接合構造の電界効果トランジスタとすることもできる。これらのヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタにおいて、バリア層/チャネル層の構造を、AlGaN/GaN、AlN/GaN、InAlN/GaN、AlGaN/InGaNなどのヘテロ構造とすることができる。また、ゲート電極直下に絶縁層を積層し、MIS構造とすることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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