半導体内不純物および欠陥の電子状態測定方法

開放特許情報番号
L2006007425
開放特許情報登録日
2006/12/22
最新更新日
2015/9/25

基本情報

出願番号 特願2006-255560
出願日 2006/9/21
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-078369
公開日 2008/4/3
登録番号 特許第4756374号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体内の電子状態測定方法。
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 不純物若しくは欠陥を含む半導体内の電子状態測定方法、電子デバイス、光デバイス
目的 高純度ワイドバンドギャップ半導体内の不純物および欠陥の電子を光励起によって効率よく検出することにより、微量(10↑(15)cm↑(−3)以下)の非破壊測定を、電極付けなどの前処理無しで簡便に可能とする方法の提供。
効果 原理的に直接、対象となるバンドギャップ中の不純物および欠陥準位を検出するため、簡便であり、非破壊に従来技術で検出不可能な範囲をカバーできる。
技術概要
この技術では、不純物若しくは欠陥を含む半導体を用い、照射光によって半導体の不純物若しくは欠陥の準位から伝導帯へ励起された光電子のうち、その半導体の厚み方向に拡散し、あらかじめ電子親和力を負、ゼロ、あるいは半導体の結晶運動量相当のエネルギーに対応する小さな正の電子親和力状態にせしめた半導体の表面から外部光電子放出させ、光電子検出器によって光電子数を計数し、同時に照射光エネルギーを計測し、当該照射光エネルギーに対する光電子放出率を計測することにより、不純物若しくは欠陥を含む半導体内の電子状態を測定する。また、照射光を、半導体のバンドギャップエネルギーより小さいエネルギーの範囲で、単色化して照射し、光電子放出率スペクトルを光電子放出率として計測することができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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