適用製品
背景光低減方法、導波路基板、エバネッセント波励起蛍光観察
目的
スラブ型導波路を具備した基板を用いてエバネッセント波励起蛍光観察を行う際に、光学的に非理想的な条件下で発生した迷光が基板上の反応槽内のエバネッセント場よりも上部へ到達してしまう現象を効果的に抑制することで、高いＳ／Ｎ比での蛍光観察を達成する方法であり、しかも、上記迷光の抑制が簡便かつ安価に実施可能であるとともに、全自動化解析機器等へも適用し得る、迷光の新規抑制手段の提供。
効果
迷光吸収領域を導波路基板に効果的な位置に設けることで、光学的に非理想的な迷光を反応槽に入射する前に吸収し、スラブ型導波路によるエバネッセント波励起蛍光観察を行う際に、観察の最大の障害要因となる背景蛍光の発生を抑制し、これにより高いＳ／Ｎ比での蛍光観察を可能とする。
技術概要
この技術では、底部に被験分子を固定した導波路基板を有する反応槽に蛍光標識したプローブ分子を含有するプローブ溶液を導入して、固定分子とプローブ分子とを結合させた後、導波路基板に光を導入してエバネッセント波励起蛍光観察を行うに際し、反応槽内への迷光の入射を抑制し、エバネッセント波励起蛍光観察における背景光を低減する方法であって、入射光入射端部から被験分子固定位置に至る間の導波路基板の上面または下面に、入射光方向に少なくとも３ｍｍ以上の幅を有する迷光吸収領域を設ける。迷光吸収領域は導波路基板を挟んで上下両面に設ける。また、迷光吸収領域を、光吸収部材の接着により形成する。導波路基板の入射光入射端面はレーザーカッティング加工することが好ましい。また、光吸収部材により反応槽を形成するものとする。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
