出願番号 |
特願2006-228886 |
出願日 |
2006/8/25 |
出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
公開番号 |
特開2007-091718 |
公開日 |
2007/4/12 |
登録番号 |
特許第4756273号 |
特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
発明の名称 |
オルトメタル化イリジウム錯体の製造方法ならびに製造されたイリジウム錯体からなる発光材料 |
技術分野 |
電気・電子、有機材料 |
機能 |
材料・素材の製造 |
適用製品 |
有機電界発光素子用材料、エレクトロケミルミネッセンス素子材料、発光センサー、光増感剤、ディスプレイ、蛍光増白剤、写真用材料、レーザー色素 |
目的 |
ハロゲン化イリジウムまたは架橋ダイマーと、有機配位子とを反応させて、有機配位子が3つ配位したオルトメタル化イリジウム錯体を製造する方法において、脱ハロゲン化剤および塩基化合物を添加することなく、また、有機配位子をイリジウム原料に対して大過剰に用いることなく、高収率かつ高純度に製造でき、更には、フェイシャル体を選択的に製造することができる方法の提供。 |
効果 |
有機電界発光素子用材料などとして用いられるオルトメタル化イリジウム錯体を、脱ハロゲン化剤や塩基を添加することなく、また有機配位子をイリジウム原料に対して大過剰に用いることなく、高収率かつ高純度に製造することができる。また、燐光材料として特に有用なフェイシャル体を高純度で選択的に合成することができる。 |
技術概要
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この技術のオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法は、ハロゲン化イリジウム化合物と一般式(1)または(2)のいずれかで表される有機配位子とを反応させて、オルトメタル化イリジウム錯体を製造するに当たり、当該有機配位子の使用量をハロゲン化イリジウムに対して3当量以上30当量未満とする。さらに、一般式(3)で表される架橋ダイマーと一般式(1)または(2)のいずれかで表される有機配位子を反応させてオルトメタル化イリジウム錯体を製造するに当たり、当該有機配位子の使用量をハロゲン化イリジウムに対して2当量以上10当量未満とする。式(1)中、NとCは、窒素および炭素原子、環Aは置換基を有していてもよい芳香族複素環基、環Bは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または芳香族複素環基、Xは電子吸引性置換基である。式(2)中、環Cは置換基を有していてもよい芳香族複素環基、環Dは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または芳香族複素環基、Zは環Cと環Dとを連結する基である。 |
イメージ図 |
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実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
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特許権実施許諾 |
【可】
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