結合量子井戸構造

開放特許情報番号
L2006007117
開放特許情報登録日
2006/12/1
最新更新日
2018/1/23

基本情報

出願番号 特願2008-529885
出願日 2007/8/17
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2008/020621
公開日 2008/2/21
登録番号 特許第5207381号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 結合量子井戸構造
技術分野 電気・電子、情報・通信、無機材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 半導体装置、量子井戸構造素子
目的 この発明は、結合量子井戸のサブバンド間遷移を利用した光素子等を、強結合を有する量子井戸構造の素子として提供する。
効果 この発明の装置によれば、サブバンド間遷移するための結合量子井戸構造において、2つ以上の量子井戸層の間に挟まれた結合障壁層にできるだけ低いエネルギー障壁ΔE↓c↓2をもたせることで、量子井戸間結合の強い、且つ、生産性に優れた結合量子井戸構造の作製が可能になる。
技術概要
近年、結晶成長技術の発展に伴い、量子構造を用いた数ナノオーダーのヘテロ界面形成が可能となっており、これにより量子井戸におけるサブバンド間遷移の短波長化が進み、光通信波長帯におけるサブバンド間遷移も可能になってきた。しかし、光通信用の半導体レーザの材料として用いられるV−X族半導体材料では、量子井戸の幅を数原子程度と非常に狭くする必要があり、この条件で、例えば1.55μmのサブバンド遷移を実現させるためには、極めて高い障壁高さを可能にするバンド不連続の大きな材料が要求されるなどの問題を有していた。 この発明では、結合量子井戸のサブバンド間遷移を利用した光素子等の作製を、強結合を有する量子井戸構造として形成し、強結合化のための結合障壁層の薄膜化を回避できる生産性に優れた量子井戸構造を得るものである。この素子の半導体結合量子井戸構造においては、励起準位(E↓4及びE↓3)より小さく、基底準位(E↓2及びE↓1)より大きい、エネルギー障壁(ΔE↓c↓2)を持つ結合障壁層1aを、2つ以上の量子井戸層2a、2b間に配置した結合量子井戸構造を半導体単結晶基板上に設けたものである。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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