| 出願番号 |
特願2006-220848 |
| 出願日 |
2006/8/14 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2007-078679 |
| 公開日 |
2007/3/29 |
| 登録番号 |
特許第4803440号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
探針形状評価用標準試料 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
走査型トンネル顕微鏡、走査型原子間力顕微鏡、チップキャラクタライザー |
| 目的 |
プローブ顕微鏡の探針形状評価用の標準試料であって、多層膜を選択性エッチングすることにより、線幅及び線間隔が多層膜の膜厚により規定され、線の高さがエッチングのエッチング量により規定されるように形成した、測定の前後で容易に探針形状をナノメートル精度で測定可能になる標準試料の提供。 |
| 効果 |
リソグラフィーを用いて作成した試料では不可能な微細構造が作成可能であり、最小サイズを保証することができる。収束イオンビームを用いて作成すると、１個１個、個別に作成する必要があるが、多層膜を利用する方法では大量に同じ物を量産可能である。また、電子顕微鏡で探針形状を測定する方法に比べ、観察に用いる原子間力顕微鏡さえあれば、その場で、測定の前後の探針の形状を求めることができる。 |
技術概要
 |
この技術の探針形状測定用試料は、２種類またはそれ以上の多層膜または超格子構造を作成し、断面を選択エッチングすることにより、凹凸構造を作成する。選択エッチングにより、片方の材料のみを残すことで、多層膜や超格子の膜厚に相当する突起や窪みが作成されている。この方法で、櫛型構造やナイフエッジ構造を作成し、探針評価用の試料を作成する。櫛形構造とは、１〜５００ｎｍの線幅又は周期構造を２つ以上組み合わせたもの、ナイフエッジ構造とは、１〜５０ｎｍの線幅をもつ、孤立した突起構造を意味している。探針形状測定用標準試料の作成に用いる多層膜は、数ナノメートル以下の精度で厚さを制御可能な多層膜作成技術を利用した超格子構造を作成し、側面を選択エッチングすることにより作成する。典型的な例として、ＧａＡｓとＩｎＧａＰの超格子構造をＭＯＣＶＤ法で作成し、ＧａＡｓの膜厚を突起の大きさになるように成膜する。断面を研磨して、硫酸と過酸化水素の溶液でＧａＡｓ膜をエッチングすることで、所定の構造を作成可能である。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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