CPP型巨大磁気抵抗素子および磁気センサ

開放特許情報番号
L2006007076
開放特許情報登録日
2006/12/1
最新更新日
2015/9/21

基本情報

出願番号 特願2006-204713
出願日 2006/7/27
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-034523
公開日 2008/2/14
登録番号 特許第4385156号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 CCP−CPP型巨大磁気抵抗素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 外部磁場により抵抗値が変化する現象、磁気センサ、ハードディスクの読み取りヘッド、記録密度向上、面記憶密度
目的 超高密度磁気記録に適した磁気センサ素子に要求される特性を持つ磁気抵抗素子を提供すること、より詳細には、低い面積抵抗値(RA値で1Ω・平方ミクロン以下)を持ち、かつ、高いMR比(20%以上)を実現可能とした磁気抵抗素子及びこれを用いた磁気センサ(例えばハードディスク用磁気ヘッド)を提供することの実現。
効果 複雑な多層構造を用いることなく、簡単な構造で、かつ、低抵抗でかつ高い磁気抵抗比をもつ磁気抵抗素子を得ることが出来る。この磁気抵抗素子を磁気センサとして用いることにより、極めて高い磁気記録密度に対応した磁気抵抗ヘッドを提供することが可能となる。
技術概要
この技術は、TMR素子の面積抵抗を下げたのではなく、中間層に非常に薄いMgO層を用い、非常に薄いため自然と(意図的にでも良い)孔が形成され、その孔の中の金属を介した、金属伝導によるCCP−CPP型磁気抵抗素子とする。すなわち、磁気抵抗素子は、磁化方向が実質的に一方向に固着された第1の磁性層(磁化固定層)と、磁化方向が外部磁化に応じて変化する第2の磁性層(磁化自由層)と、第1及び第2の磁性層間に形成された中間層を持ち、素子形状がCPP形状(current perpendicular to plane: 電流が膜面に対して垂直に流れる形状)に加工され、中間層として、厚み1.0ナノメートル以下の(001)面が優先配向した単結晶あるいは多結晶のMgO(001)層を使用する。MgO(001)層を中間層に使用することにより、MgO(001)層に自然に存在する微小孔中に存在する金属により、電流狭窄効果が発現するため、磁気抵抗比が増大する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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