| 出願番号 |
特願2006-204248 |
| 出願日 |
2006/7/27 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2008-031503 |
| 公開日 |
2008/2/14 |
| 登録番号 |
特許第4873467号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
オフ角を有する単結晶基板の製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、金属材料、無機材料 |
| 機能 |
機械・部品の製造、材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
半導体、高周波・高出力デバイス、紫外線発光デバイス、半導体デバイス用の材料、ダイヤモンド単結晶、大量 |
| 目的 |
単結晶の気相合成において利用できるオフ基板の製造に際して、製造コストを削減でき、且つ同一のオフ角を有する基板を簡単かつ大量に製造することが可能な新規な方法の提供。 |
| 効果 |
オフ基板を、極めて制御性よく、簡単かつ短時間に製造することができる。そして、オフ基板の製造に使用した種結晶や、得られたオフ基板を、種結晶として再度利用することができるために、オフ基板の製造枚数を飛躍的に増加することができ、低コストで大量のオフ基板の製造が可能となる。 |
技術概要
 |
この技術は、気相合成法によるエピタキシャル成長が可能な材料であって、その表面が、エピタキシャル成長が可能な結晶面に対してオフ角を有する材料を基板として用い、基板にイオン注入を行って、基板の表面近傍に結晶構造の変質した層を形成し、気相合成法によって基板上に結晶成長を行い、次いで、成長した結晶層と基板とを分離させるオフ角を有する単結晶基板の製造方法とする。成長した結晶層と基板とを分離させる方法が、電気化学エッチング、放電加工又は熱酸化であるとよい。即ち、表面が特定の結晶面に対して所定のオフ角を有するよう精密に研磨されたダイヤモンド基板（オフ基板）を種結晶として用い、イオン注入によって、種結晶の表面近傍に非ダイヤモンド層を形成した後、気相合成法によってダイヤモンドを成長させる方法によれば、ステップフロー成長によって、異常成長粒子や成長丘の発生が大きく抑制された良好なダイヤモンド層を形成でき、成長したダイヤモンド層は、非ダイヤモンド層において、オフ基板から容易に分離できる。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)