積層型全MgB2SIS接合および積層型全MgB2SIS接合方法

開放特許情報番号
L2006006902
開放特許情報登録日
2006/11/10
最新更新日
2006/11/10

基本情報

出願番号 特願2005-051539
出願日 2005/2/25
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2006-237384
公開日 2006/9/7
発明の名称 積層型全MgB2SIS接合および積層型全MgB2SIS接合方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 積層型全MgB2SIS接合
目的 高い臨界温度特性を持つMgB↓2を上部電極および下部電極に用いた積層型全MgB↓2SIS接合を得る。
効果 高い臨界温度を有するMgB↓2を用いた積層型全MgB↓2SIS接合の実現により、広いギャップ電圧、高い電流密度、高い高周波数特性等を持つ良好なジョセフソン素子を得ることができる。また、試料表面を大気中にさらすことなく同一真空中で3層構造が形成できるため界面を清浄に保ったまま接合が形成できる。また、MgB↓2と同じ六方晶構造を持ちa軸長の近いAlN薄膜をバリア層として介することにより面内配向性や結晶性が改善され、より良好なジョセフソン接合を得ることができる。
技術概要
金属−化合物超伝導層/絶縁層/金属−化合物超伝導層の積層構造を有する積層型全MgB↓2SIS接合であって、基板上に成膜された二硼化マグネシウム(MgB↓2)からなる下部電極と、下部電極上に成膜された窒化アルミニウム(AlN)からなる絶縁層と、絶縁層上に成膜されたMgB↓2からなる上部電極とを有する積層型全MgB↓2SIS接合である。図1は積層型全MgB↓2SIS接合を示す図、図2は積層型全MgB↓2SIS接合に用いるカルーセルスパッタ装置の平面図を示す図である。基板2は紙面に垂直な方向に延びた板状で基板ホルダHに保持されている。なお、この例では6枚の基板2が基板ホルダHに保持されている。基板ホルダHは6面体の多角形筒型であり各面に基板2が保持され、紙面に垂直方向のホルダ中心軸Rを中心に回転する。Mgターゲット3、Bターゲット4、Nbターゲット14、Alターゲット15は、図2に示すように紙面に垂直な面に保持され、基板2に対向するように配置される。図3は積層型全MgB↓2SIS接合のエッチングプロセスを示す図である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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