| 出願番号 |
特願2005-051539 |
| 出願日 |
2005/2/25 |
| 出願人 |
独立行政法人情報通信研究機構 |
| 公開番号 |
特開2006-237384 |
| 公開日 |
2006/9/7 |
| 発明の名称 |
積層型全ＭｇＢ２ＳＩＳ接合および積層型全ＭｇＢ２ＳＩＳ接合方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
積層型全ＭｇＢ２ＳＩＳ接合 |
| 目的 |
高い臨界温度特性を持つＭｇＢ↓２を上部電極および下部電極に用いた積層型全ＭｇＢ↓２ＳＩＳ接合を得る。 |
| 効果 |
高い臨界温度を有するＭｇＢ↓２を用いた積層型全ＭｇＢ↓２ＳＩＳ接合の実現により、広いギャップ電圧、高い電流密度、高い高周波数特性等を持つ良好なジョセフソン素子を得ることができる。また、試料表面を大気中にさらすことなく同一真空中で３層構造が形成できるため界面を清浄に保ったまま接合が形成できる。また、ＭｇＢ↓２と同じ六方晶構造を持ちａ軸長の近いＡｌＮ薄膜をバリア層として介することにより面内配向性や結晶性が改善され、より良好なジョセフソン接合を得ることができる。 |
技術概要
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金属−化合物超伝導層／絶縁層／金属−化合物超伝導層の積層構造を有する積層型全ＭｇＢ↓２ＳＩＳ接合であって、基板上に成膜された二硼化マグネシウム（ＭｇＢ↓２）からなる下部電極と、下部電極上に成膜された窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなる絶縁層と、絶縁層上に成膜されたＭｇＢ↓２からなる上部電極とを有する積層型全ＭｇＢ↓２ＳＩＳ接合である。図１は積層型全ＭｇＢ↓２ＳＩＳ接合を示す図、図２は積層型全ＭｇＢ↓２ＳＩＳ接合に用いるカルーセルスパッタ装置の平面図を示す図である。基板２は紙面に垂直な方向に延びた板状で基板ホルダＨに保持されている。なお、この例では６枚の基板２が基板ホルダＨに保持されている。基板ホルダＨは６面体の多角形筒型であり各面に基板２が保持され、紙面に垂直方向のホルダ中心軸Ｒを中心に回転する。Ｍｇターゲット３、Ｂターゲット４、Ｎｂターゲット１４、Ａｌターゲット１５は、図２に示すように紙面に垂直な面に保持され、基板２に対向するように配置される。図３は積層型全ＭｇＢ↓２ＳＩＳ接合のエッチングプロセスを示す図である。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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