超高消光比変調方法

開放特許情報番号
L2006006900
開放特許情報登録日
2006/11/10
最新更新日
2015/8/20

基本情報

出願番号 特願2005-054209
出願日 2005/2/28
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2006-242975
公開日 2006/9/14
登録番号 特許第4798338号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 超高消光比変調方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 超高消光比変調システム
目的 高い消光比をもたらす光変調器の変調方法や、光変調器システムを提供する。また、高い消光比をもたらす光変調器の変調方法を利用した、光搬送波抑圧両側波帯(DSB−SC)変調方法を提供する。さらに、光変調器を用いて、微弱な無線信号を光強度に変換し、ファイバなどを通じて伝送し、光検出器で無線信号に戻して出力する装置において、微弱な変調信号に対するラジオ周波数リンクゲインを向上させる。
効果 好適なバイアス点を把握できるので、高い消光比をもたらす光変調器の変調方法や、光変調器システムを提供することができる。また、高い消光比をもたらす光変調器の変調方法を利用した、DSB−SC変調方法を提供することができる。また、高い消光比をもたらす光変調を行うことができ、さらには効果的にキャリア(搬送波)を抑圧することができるので、微弱な変調信号に対するラジオ周波数リンクゲインを向上させることができる。
技術概要
マッハツェンダー導波路とマッハツェンダー導波路の各アームが設けられた光強度補正機構を有する光変調器の電極に印加するバイアス電圧を調整することにより、消光比を向上させる、変調方法である。また、マッハツェンダー導波路とマッハツェンダー導波路の各アームが設けられた光強度補正機構を有する光変調器の電極に印加するバイアス電圧を調整することにより、消光比を向上させるための変調方法であって、メインマッハツェンダー導波路からの出力が大きくなるように、メインマッハツェンダー電極のバイアス電圧及び2つのサブマッハツェンダー電極のバイアス電圧を調整する工程と、メインマッハツェンダー導波路からの出力が小さくなるように、メインマッハツェンダー電極のバイアス電圧を調整する工程と、メインマッハツェンダー導波路からの出力が小さくなるように、いずれかのサブマッハツェンダー電極のバイアス電圧を減少させる工程と、メインマッハツェンダー導波路の出力が小さくなるように、メインマッハツェンダー電極のバイアス電圧を調整する工程とを含む、変調方法である。図1は、消光比変調方法に用いられる光変調器を示す概略図である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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