技術概要
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絶縁性基板上に、ＧａＮ層、ｎ型のＡｌＧａＮ層（ただし、Ａｌ↓ｘＧａ↓（↓１↓−↓ｘ↓）Ｎ、ｘ＜０．５）、厚さ１ｎｍ〜１０ｎｍの中間層としてのＡｌＮ層、及び、厚さ２０ｎｍ〜１００ｎｍの表面露出部を有するＧａＮ層を、接合することで順次積層させた構造を有し、ＧａＮ層の表面に電子取り出し用の正電極を備え、且つ、ＡｌＧａＮ層に負電極を備える窒化物半導体電子放出素子である。図に示すように、サファイア基板上１へ、ＡｌＧａＮ層３のためのバッファー層としてキャリヤ濃度２×１０↑１↑８ｃｍ↑−↑３のｎ型ＧａＮ層２を、厚さ約１０００ｎｍとなるように形成し、さらに、その上にキャリヤ濃度１０↑１↑８ｃｍ↑−↑３のｎ型ＡｌＧａＮ層３として、Ａｌ↓０↓．↓２Ｇａ↓０↓．↓８Ｎからなる厚さ１０００ｎｍの層を形成し、その上に中間層としてのＡｌＮ層４を５ｎｍとキャリヤ濃度２×１０↑１↑８ｃｍ↑−↑３のｎ型ＧａＮ層５を３０ｎｍ成長させる。各層の形成方法は任意であり、公知の方法、例えば、原子層エピタキシャル成長、ＣＶＤ法などを用いることができる。積層体に、さらに幅４μｍのストライプ状の正電極６を間隔１０μｍで配置する。 |
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