放射線検出器

開放特許情報番号
L2006006764
開放特許情報登録日
2006/10/20
最新更新日
2006/10/20

基本情報

出願番号 特願2004-251751
出願日 2004/8/31
出願人 国立大学法人静岡大学
公開番号 特開2006-073575
公開日 2006/3/16
発明の名称 放射線検出器
技術分野 その他、無機材料
機能 検査・検出
適用製品 放射線検出器
目的 化合物半導体を用いる放射線検出器において、検出素子を複数配列する際の検出素子間の電気的分離を改善する。
効果 検出素子の部分のみがダイオード構造となっているため、検出素子間にも接合が形成されており、電荷は通過することができず、良好な電気的分離ができる。
技術概要
2−6族半導体を用いる放射線検出器において、2−6族半導体の片面に各検出素子ごとに形成されたドーピング層と、検出素子間を電気的に分離する検出素子用としてのドーピング層とは逆の導電性を有する半導体部分を設け、ドーピング層に信号電極を設け、反対面に共通電極を設けてなる放射線検出器である。図1に示すように、基板1にp−型半導体を用い、n+層3のドーピングを行う。隣接する検出素子間ではn−p−n接合となり、電流が流れない。また、図1中で示すように、n層をドーピングする前にp層を作成することも考えられる。これは、検出素子間に選択的に作成した例である。上面全体にp層を作成し、その上からn+層を島状(スポット状)に形成するものであってもよい。n+層には信号を取り出すための電極を設ける。また基板の反対側には共通電極を設けるものとする。共通電極側にはp+層をドーピングなどにより作成しておいてもよい。さらにレーザ加工により、分離溝6を作成する。ここではpのドーピングを行っていない例を示している。分離溝6の形成はカッター切り込みによることも可能である。図2は、放射線検出素子のダイオード構造、図3は、基板の断面を示す図である。
イメージ図
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【有】   
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