半導体の電気特性測定装置

開放特許情報番号
L2006005873 この特許が掲載されている活用例集をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2006/9/22
最新更新日
2010/12/17

基本情報

出願番号 特願2006-532766
出願日 2005/8/25
出願人 国立大学法人東京農工大学
公開番号 WO2006/022425
公開日 2006/3/2
登録番号 特許第4621922号
特許権者 国立大学法人東京農工大学
発明の名称 半導体の電気特性測定装置
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 半導体の電気特性測定装置
目的 簡素な構成をもって精度よく、半導体の電気的特性の測定を行うことができるようにして、又、その測定対象の半導体(特性測定半導体)において、半導体表面に絶縁膜が形成された場合でも、絶縁膜を剥離することなく、光誘起における電気伝導測定とその評価を正確に行うことができる測定装置を提供する。
効果 半導体の電気特性測定装置によれば、簡潔な構成で精度良く電気特性の測定を行うことができる。その測定対象の特性測定半導体において、半導体表面に絶縁膜が形成された場合でも、絶縁膜を剥離することなく、光誘起における電気伝導測定、評価を正確に行うことができる。
技術概要
特性測定半導体10に光を照射する光照射手段20と、交流電圧源31、32と、電位測定手段50と、インピーダンス調節器70とを有し、特性測定半導体10のの電位測定ポイントにおける電位が、光照射手段20によって特性測定半導体10に対する光照射がされない状態で、電位がゼロ電位になるようにインピーダンス調整器70によるインピーダンス調整がなされ、特性測定半導体10に対する光照射がされたときと、光照射がされないときの電位測定によって特性測定半導体10の電気特性の測定を行う。図1に示す実施例で、160nmの熱酸化絶縁膜に覆われたN型シリコン基板による特性半導体10に対する測定を行った。光照射手段20から、XeClエキシマレーザパルス光を1.2mJ/cm↑2照射した。図2は、インピーダンス調節器70と特性半導体10との接続点を電位測定ポイント80とし、電位Vsの時間変化の測定結果である。1MHzの0.1V振幅の電圧を印加して、インピーダンスマッチングによりVsを0.001Vまで低下できた。光誘起過剰キャリヤが1.5msの時間だけシリコン中に存在していることがわかる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【有】   
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