ZnOデバイス

開放特許情報番号
L2006005796
開放特許情報登録日
2006/9/15
最新更新日
2007/3/23

基本情報

出願番号 特願2006-175380
出願日 2006/6/26
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-043109
公開日 2007/2/15
発明の名称 ZnOデバイス
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 ZnO発光デバイス、半導体、禁制帯幅、高出力デバイス、短波長の光電子デバイス
目的 不純物の取り込み特性の違うZn極性、O極性の両方の結晶極性面を同時に利用したZnOデバイスの提供。
効果 ZnOデバイスにおいてn型層、p型層のそれぞれにドーピング特性が最適な結晶極性面を使用することにより、ドーピングプロファイルを中心としたデバイス設計が容易になる。さらに直列抵抗が小さく、低損失で長寿命の高性能な発光デバイスを実現することができる。
技術概要
この技術は、異なる結晶極性面を有するZnO層を結晶極性面反転層を介して積層すること及び結晶極性による不純物の取り込み特性の違いに鑑み、p型層としてZn極性のZnO主体の層を用い、電子濃度が高い主たるn型層としてO極性のZnO主体の層を用い、デバイスの中間に結晶極性面反転層を挿入することにより両結晶極性を同時に用いるものである。具体的には、第1の結晶極性面を有するZnO層と第2の結晶極性面を有するZnO層が、結晶極性面反転層を介して積層しているZnOデバイスとする。また、第1の結晶極性面を有するZnO層、O極性面を有するn型ZnO層であり、第2の結晶極性面を有するZnO層は、Zn極性面を有するp型ZnO層であるZnOデバイスとすることもできる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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