強誘電体膜構造体の製造方法

開放特許情報番号
L2006005778
開放特許情報登録日
2006/9/15
最新更新日
2015/9/18

基本情報

出願番号 特願2006-165380
出願日 2006/6/14
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-036206
公開日 2007/2/8
登録番号 特許第4528950号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 強誘電体膜構造体の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 MEMS、微小電気機械システム、MST、マイクロマシン、ナノテクノロジー、メカトロニクス、機能性トランスデュ−サ素子、強誘電体膜構造体
目的 加熱プロセスを短時間化した熱処理プロセスを用いながらも、結晶の配向性が十分に高度化され、少なくとも80%以上、好ましくは90%以上に制御された強誘電体膜を作製することが可能な工業的に有利な強誘電体膜構造体の製造方法の提供。
効果 焼結に要する時間が従来の大気焼成炉や高速焼成炉(RTA)と比べても1桁程度短くなる。しかも、加熱プロセスを短時間化した熱処理プロセスを用いながらも、結晶の配向性が十分に高度化され、少なくとも80%以上、好ましくは90%以上に制御された強誘電体膜を作製することが可能となる。
技術概要
この技術では、基板上に強誘電体の前駆体のゲル膜を設け、このゲル膜の乾燥後、マイクロ波により加熱処理することで強誘電体膜構造体を製造する。ゲル膜は、基板上への該前駆体の溶液またはペーストの塗布により得られるものとする。塗布法は、スピンコート法またはディップコート法であるものとする。基板と強誘電体膜の間に下部電極を設けることが好ましい。基板と下部電極の間に、絶縁層及び/密着層を設けてもよい。そして、強誘電体膜の上に上部電極を設ける。強誘電体膜は単層膜であるものとする。強誘電体膜は積層膜であってもよい。第1層のマイクロ波の投入電力を他の層よりも高く設定することが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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