炭素終端構造のダイヤモンド電子源及びその製造方法

開放特許情報番号
L2006005761
開放特許情報登録日
2006/9/15
最新更新日
2015/9/18

基本情報

出願番号 特願2006-159249
出願日 2006/6/8
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-042604
公開日 2007/2/15
登録番号 特許第4340776号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 炭素終端構造のダイヤモンド電子源及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 フラットパネルディスプレイ、放電管、ランプ、X線や紫外線の励起源、真空マイクロ/ナノデバイス、電子線発生装置
目的 低電圧駆動可能なダイヤモンド冷陰極作製に関して、負の電子親和力や水素終端構造ではなく、小さな正の電子親和力を形成することで、電子放出電圧を著しく低減することを可能にし、ダイヤモンド表面を炭素で終端する安定構造で小さな仕事関数を形成することの実現。
効果 炭素終端表面構造のダイヤモンド膜は、実際の冷陰極動作において、低電圧で高電流を得ることができ、電子線を用いる電子機器の低消費電力化と小型化、エネルギー高効率化が実現できる。さらに、半導体固体デバイスでは実現困難な、耐環境性電子デバイスへの応用も可能である。
技術概要
この技術は、電極とダイヤモンド膜により構成された構造を持ち、電極に電圧が印加されたとき、ダイヤモンド膜から電子や電子線を放出する電子源において、ダイヤモンド膜が炭素終端構造のダイヤモンドである炭素終端構造のダイヤモンド電子源であるとする。また、ダイヤモンドに、窒素やリン,硫黄,リチウムなどのドナーとなる不純物、もしくはn型を形成することができる不純物元素やそれらの複合物を添加したダイヤモンドとすることができ、好ましくは、n型を形成することができる不純物であるリンとすることができる。さらに、基板を、半導体若しくは金属とすることができる。ダイヤモンド膜をCVDにより若しくは高温高圧法により得られたものとすることができる。ダイヤモンド膜が(111)、(100),(110)面の結晶構造の単結晶やエピタキシャル膜,若しくは多結晶膜とすることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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