技術概要
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不純物が添加されたバルク結晶を、昇華法によって作製する場合、成長速度の遷移領域での不純物添加量が、限界不純物添加量を超えないように制御するバルク結晶の成長方法である。また、結晶成長速度の遷移領域から終了直前での不純物添加量が、限界不純物添加量を超えないように制御するバルク結晶の成長方法である。また、バルク結晶は、ＳｉＣであり、不純物は窒素であり、限界不純物添加量は、１×１０↑１↑９ｃｍ↑−↑３であり、また、バルク結晶は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物であり、さらに、バルク結晶は、ＩＩ−ＶＩ族化合物であるバルク結晶の成長方法である。例えば、図１に示した結晶成長装置にて種結晶上にＳｉＣ単結晶の成長を行う。成長中に結晶の導電性がｎ型となるように窒素ガスをアルゴンガス中に混合して導入する。結晶成長速度の遷移領域である種結晶３直上の成長領域１０で、窒素の不純物濃度が確実に１×１０↑１↑９ｃｍ↑−↑３以上とならないようにするため、窒素ガスを混合しないで厚さ１００μｍ程度成長させる。その後、成長速度が安定してから窒素の不純物濃度が８×１０↑１↑８ｃｍ↑−↑３となるように窒素ガスを５０％の濃度で導入する。 |
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