バルク結晶の成長方法

開放特許情報番号
L2006005746
開放特許情報登録日
2006/9/15
最新更新日
2015/9/18

基本情報

出願番号 特願2006-154180
出願日 2006/6/2
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-320814
公開日 2007/12/13
登録番号 特許第5419116号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 バルク結晶の成長方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 バルク結晶の成長システム
目的 昇華法において結晶欠陥の発生を抑制し、高品質なバルク結晶を得る。
効果 成長速度の遷移領域において限界不純物添加量を超えないように不純物添加量を制御することで、結晶欠陥の発生を抑制し、高品質なバルク結晶が得られる。
技術概要
不純物が添加されたバルク結晶を、昇華法によって作製する場合、成長速度の遷移領域での不純物添加量が、限界不純物添加量を超えないように制御するバルク結晶の成長方法である。また、結晶成長速度の遷移領域から終了直前での不純物添加量が、限界不純物添加量を超えないように制御するバルク結晶の成長方法である。また、バルク結晶は、SiCであり、不純物は窒素であり、限界不純物添加量は、1×10↑1↑9cm↑−↑3であり、また、バルク結晶は、III−V族化合物であり、さらに、バルク結晶は、II−VI族化合物であるバルク結晶の成長方法である。例えば、図1に示した結晶成長装置にて種結晶上にSiC単結晶の成長を行う。成長中に結晶の導電性がn型となるように窒素ガスをアルゴンガス中に混合して導入する。結晶成長速度の遷移領域である種結晶3直上の成長領域10で、窒素の不純物濃度が確実に1×10↑1↑9cm↑−↑3以上とならないようにするため、窒素ガスを混合しないで厚さ100μm程度成長させる。その後、成長速度が安定してから窒素の不純物濃度が8×10↑1↑8cm↑−↑3となるように窒素ガスを50%の濃度で導入する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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