ナノコンポジット磁石及びその製造方法

開放特許情報番号
L2006005575
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2004-360408
出願日 2004/12/13
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2006-173210
公開日 2006/6/29
登録番号 特許第4654409号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 ナノコンポジット磁石の製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 ナノコンポジット磁石、Sm−Co系バルク磁石、アクチュエーター
目的 高い保磁力、高い最大エネルギー積、良好な角形性等のすぐれた磁石特性を有し、使用環境を広く選べ、薄膜磁石として好適に利用することができるナノコンポジット磁石及びその製造方法の提供。
効果 Cuが固溶されたSmCo↓5相の磁化容易軸は面内方向に優先配向するため、面内の磁化曲線で良好な角形性を保持することが可能となり、その結果、従来のSm−Co/Fe系ナノコンポジット磁石に比べ、高い最大エネルギー積を得ることができる。
技術概要
 
この技術では、スパッタ装置:6元スパッタ装置、真空圧(排気):2×10↑(−8)Pa、雰囲気:Arガス、0.1Paのスパッタ条件で熱酸化膜付シリコン基板上に、下地層としてCr層を厚さ50nm成膜した上に、その上に、硬磁性相としてSmCo↓6層を厚さ9nm成膜し、Cu層を厚さ0.3nm成膜し、軟磁性相としてFe層を5nm、Cu層を厚さ0.3nm、SmCo↓6層、Fe層を、Cu層を介して、6組積層し、さらにその上にSmCo↓6層を厚さ9nm成膜し、最後にその上に、保護層としてCr層を100nm成膜し、多層膜を作製する。次に、作製した多層膜をHe雰囲気中で石英管封入し、450℃〜525℃で30分加熱して、ナノコンポジット薄膜磁石を得る。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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