ナノグラニュラー軟磁性膜およびその製造方法

開放特許情報番号
L2006005548
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2004-271178
出願日 2004/9/17
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2006-086412
公開日 2006/3/30
登録番号 特許第4991981号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 ナノグラニュラー軟磁性膜の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 トランス、チョークコイル、電磁波吸収材料
目的 高電気比抵抗でかつ増幅された異方性磁場を有し、約10GHzの超高周波数領域での利用が可能であるナノグラニュラー軟磁性膜およびその製造方法の提供。
効果 本技術のナノグラニュラー軟磁性膜は、高電気比抵抗でかつ増幅された異方性磁場を有し、約10GHzの超高周波数領域での利用が可能となる。
技術概要
 
この技術によるナノグラニュラー軟磁性膜の製造方法は、FeまたはCoの少なくとも1種を主構成成分とする平均粒径が10nm以下の強磁性粒子が、窒化物、酸化物等のセラミックスからなる母相中に埋め込まれた形態をなすナノグラニュラー軟磁性膜を作製し、その後、真空中にて、0.1T以上の面内方向の強磁場を印加した状態で、熱処理を施すことにより異方性磁場を増幅させる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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