デュアルマグネトロンスパッタリング装置とこの装置を用いて作製された高機能性材料薄膜体およびその製造方法

開放特許情報番号
L2006005528
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2004-232709
出願日 2004/8/9
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2006-052419
公開日 2006/2/23
登録番号 特許第4873681号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 デュアルマグネトロンスパッタリング装置及び薄膜体製造方法
技術分野 無機材料、有機材料、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 高機能性材料薄膜体の製造に適用する。
目的 特定構造のデュアルマグネトロンスパッタリング装置を用いて基板上に高機能性材料薄膜体を製造する方法を提供する。
効果 低温成膜と、高速成膜ができ、それにより、熱に弱い有機重合体フィルムの上にも高機能性材料薄膜体を製造することが可能になる。
技術概要
デュアルマグネトロンスパッタリング装置を用いる成膜方法において、各マグネトロン1をマグネトロン1に保持されている各ターゲット2の面を基準として、各ターゲット2の面の延長線のなす角度を、160〜20°、好ましくは160〜70°に設定し、かつ各ターゲット2の表面に形成されるエロージョン領域9の垂直方向延長領域10の交差領域11のうち最もマグネトロン1との距離が近い領域内に薄膜を形成する基板5の表面あるいはその一部が位置するように設定し、この基板5上に薄膜体を生成させる高機能性材料薄膜体の製造方法とする。これにより、例えば、ポリエチレンテレフタレート重合体フィルムのような有機重合体フィルムの基板を用いて、酸化物、窒化物、炭化物等の薄膜体を製造でき、特に、光触媒機能を有する二酸化チタンを主成分とする薄膜体の製造に好適に適用される。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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