磁束配置をバランス型/アンバランス型に容易に切換可能に設計したマグネトロンスパッタリング陰極

開放特許情報番号
L2006005511
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2004-203156
出願日 2004/7/9
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2006-022388
公開日 2006/1/26
登録番号 特許第4873679号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 マグネトロンスパッタリング陰極の磁束配置切替方法
技術分野 機械・加工
機能 機械・部品の製造
適用製品 磁束配置の切替が可能なスパッタリング陰極
目的 成膜速度の速いバランス型磁束配置のスパッタリング陰極の原料ターゲット保持面近傍に、室温で強磁性を示す物体を配置して磁束配置を、化学反応性に富むアンバランス型に変更させ、これを取り外してバランス型に戻すように、切替が可能に出来る方法を提供する。
効果 バランス型/アンバランス型の磁場配置の相互移行に要する時間は数分に短縮され、磁場配置の最適化作業が容易となり、強磁性体を磁石とバッキングプレートの間に挿入する空間を、真空チャンバー内の広い空間に取ることが出来るようになる。
技術概要
バランス型磁束配置のスパッタリング陰極のバッキングプレート5の原料ターゲット4保持面近傍に、室温で強磁性を示す物体8を配置して磁束配置をアンバランス型に変更する。強磁性体の部品8を取り外してバランス型に戻すように、切替を可能にさせたスパッタリング陰極を得る。例えば、陰極の構成を、バッキングプレート5、磁石6、マグネットアッセンブリー7の配置のバランス型磁場配置とさせ、バッキングプレート5の原料ターゲット4側に強磁性体の材料の部品8を設置する。部品8を原料ターゲット4に取り付けることも出来る。また、原料保持面にミドルポール、ミドルポールカバー、絶縁体などを取り付けてある陰極の場合には、これらの一部、又は全部を強磁性を有する物質に変更し、必要に応じて厚み、形状などを変更してアンバランス型とすることが出来る。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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