ガスデポジション法のための原料ガス供給方法及び供給装置

開放特許情報番号
L2006005507
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2004-184112
出願日 2004/6/22
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2006-009055
公開日 2006/1/12
登録番号 特許第4572366号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 ガスデポジション法のための原料ガス供給方法及び供給装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体デバイス微細構造物を形成させるガスデポジション法の原料ガス供給方法
目的 構造物の原料となる元素を含んだ原料ガスを発生させる固体物質を穴の開いた容器にいれ、基板材料の近傍で穴から原料ガスを供給させて粒子線で所望の位置に照射し、基板材料上に微細構造物を作製させる。
効果 基板材料の近傍から原料ガスが供給されるので、外部からの長い配管を必要とせず、供給ガスによる真空度の低下などによる粒子線源への悪影響を回避する事が出来る。
技術概要
(A)構造物の原料となる元素を含んだ原料ガス4を発生する固体物質3を、(B)穴2を有する容器1の中に入れ、この容器1を(C)基板材料6の近傍に配置し、原料ガス4を穴2から基板材料6上に供給し、(D)粒子線5を照射して、微細構造物7を作製させる。成分Aは、例えばW(CO)↓6、Mo(CO)↓6、(CH↓3)(CH↓3−C↓5H↓4)Ptなどの原料となる元素を含だ材料のバルク状、粒状などで、成分Bには温度を制御する手段やガス供給量制御手段などを設置し、成分Cはシリコン、ゲルマニウム、Al、ガラス、樹脂などが好ましい。成分Dは電子線の、加速電圧20〜200kV、電流値0.1〜0.5nA、スポットサイズの直径を数ナノメートルとするのが好ましい。成分Bには複数種の成分Aを入れる事が出来、また成分Bにそれぞれ異なる成分Aを入れて複数個、基板材料6の近傍に配置させることも出来、穴2の径、又は数を変えて供給する原料ガス4の流量比を調整する事が出来る。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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