単結晶窒化インジウムナノチューブの製造方法

開放特許情報番号
L2006005506
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2004-183175
出願日 2004/6/22
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2006-008417
公開日 2006/1/12
登録番号 特許第4576604号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 単結晶窒化インジウムナノチューブの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 高温用電子デバイス、可視−近紫外線用オプトエレクトロニクスデバイス
目的 酸化インジウム粉末とカーボンナノチューブの混合物を減圧にした後窒素ガス流の中で加熱して、単結晶窒化インジウムナノチューブを製造する方法を提供する。
効果 電子デバイスやオプトエレクトロニクス用に有用な表記ナノチューブを製造する事が出来る。
技術概要
(A)酸化インジウム粉末と(B)カーボンナノチューブの混合物を(C)反応炉の中で加熱し、減圧にした後に(D)アルゴンガスを流しながら、1100±50℃に昇温し、この温度で加熱しながら窒素ガスを1.5〜2時間流して、ウルツ鉱型六方晶系の単結晶窒化インジウムナノチューブを製造する。成分Aと成分Bの重量比を10:1〜9:1にさせ、混合物はアルミナボートに入れ、成分Cは横型石英管状炉などとし、成分Dを80〜150sccmの流量で流し、窒素ガスは80〜200sccmの流量とするのが好ましく、ナノチューブは、例えば500〜600ナノメートルの直径で、内径は150〜250ナノメートル、壁の厚さ100〜200ナノメートルの長さ数十マイクロメートルのものが得られる。成分Bの量が不足すると得られる窒化インジウムはチューブ状にならず、ナノワイヤーやナノ粒子となり、成分Cの流量が不足すると酸素による不純物が生成物に混入するので好ましくない。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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