深紫外線固体発光素子

開放特許情報番号
L2006005432
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2015/10/8

基本情報

出願番号 特願2004-035501
出願日 2004/2/12
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2005-228886
公開日 2005/8/25
登録番号 特許第3903185号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 深紫外線固体発光素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 深紫外固体発光素子、深紫外固体レーザ、固体発光素子、固体レーザ、高輝度紫外線発光素子
目的 素材自体の特性として深紫外領域で高輝度発光する直接型半導体発光素子の開発。
効果 高純度六方晶窒化ホウ素単結晶を使用することにより、複雑な半導体伝導性制御を行うことなく、また複雑なデバイス構造(pn構造またはpin構造)を作ることなく、容易に深紫外領域215nmの固体発光素子、深紫外固体レーザを得ることができる。
技術概要
この技術では、高純度六方晶窒化ホウ素に電子線を照射し、素子を電子線によって励起し、この素子から深紫外線を直接発光させるものとし、高純度六方晶窒化ホウ素をいわゆる直接型半導体発光素子として使用し、励起源として電子線を使用する。発生する深紫外領域の波長の光は、215nmをピークとする単峰性の高輝度光であるものとする。また、高純度六方晶窒化ホウ素を直接型半導体固体発光素子として使用し、これに励起源として電子線照射装置を組み合わせることによって、深紫外領域の波長のレーザ光を発振させる深紫外固体レーザを構成する。発振する深紫外領域の光は、215nmをピークとする単峰性の高輝度レーザ光であるものとする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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