錫含有半導体金属酸化物およびその製造方法

開放特許情報番号
L2006005389
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2008/10/31

基本情報

出願番号 特願2003-365341
出願日 2003/10/24
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2005-126295
公開日 2005/5/19
発明の名称 錫含有半導体金属酸化物
技術分野 無機材料、金属材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造、環境・リサイクル対策
適用製品 簡便な操作で得られ、光触媒、太陽電池、発光素子、光検出素子等として広い分野で利用される。
目的 これまで紫外線領域にその利用が制限されていた半導体金属酸化物の機能波長範囲が長波長側に大幅に拡張された、錫含有半導体金属酸化物及びその製造方法の提供。
効果 4価のSnに対する酸素元素の配位数を制御することによりそのバンドギャップを制御し、波長感度領域をより広げることが可能となり、その産業的利用価値は極めて大きい。
技術概要
結晶構造中に4価のSnに酸素6個が配位したSnO↓6八面体を含み、かつ紫外線領域に光吸収帯が存在する半導体金属酸化物の、表面あるいは内部に存在するSnO↓6八面体から酸素原子1個あるいは2個が取り去られ、酸素原子が5配位したSnO↓5多面体あるいは酸素原子が4配位したSnO↓4四面体構造が、表面あるいは内部に存在しており、前記半導体金属酸化物に比べて、バンドギャップが小さく、機能波長領域が長波長領域に拡張されている、光触媒、太陽電池、発光素子及び光検出素子のうちのいずれかに用いられる錫含有半導体金属酸化物。尚、この錫含有半導体金属酸化物は、化学物質分解用光触媒または化学物質製造用光触媒、酸素製造用光触媒あるいは水素製造用光触媒等に用いられ、また、化学物質分解用光触媒の存在下、有害化学物質に光を照射することにより、有害化学物質を分解する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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