Ge添加Nb3Al基超伝導線材の製造方法

開放特許情報番号
L2006005350
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2015/10/8

基本情報

出願番号 特願2003-274858
出願日 2003/7/15
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2005-038719
公開日 2005/2/10
登録番号 特許第4078420号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 Ge添加Nb3Al基超伝導線材の製造方法
技術分野 金属材料、電気・電子、その他
機能 材料・素材の製造、加熱・冷却
適用製品 Nb↓3Al基超伝導線材、強磁場用線材
目的 21T以上の磁界領域において、臨界電流密度、輸送電流がともに高く、実用的な強磁場用のGe添加Nb↓3Al基超伝導線材を実現する。
効果 21T以上の高磁界領域において、高い臨界電流密度に加え、高い輸送電流が得られる強磁場用のGe添加Nb↓3Al基超伝導線材が実現される。
技術概要
本発明のGe添加Nb↓3Al基超伝導線材の製造方法は、15〜40at%のGeを含むAl合金芯が、Nbマトリクス中に芯径2〜20μmで複数配置された複合多芯線材に、1300〜1600℃の温度範囲に5時間以上保持する熱処理を行い、次いで650〜900℃の温度範囲で追加熱処理することを特徴とする。これにより、超伝導相であるA15相の配列が秩序を持ち、臨界電流密度の大きさが、4.2K、21Tで300A/mm↑2、22Tで265A/mm↑2となるのである。また速い冷却速度は必ずしも必要でなく、線材断面積を比較的容易に増加することができ、高い輸送電流が得られる。その上、急冷を必要としないことから、熱処理前に前駆体線材をコイル形状に巻いた後熱処理できる実用的なwind&react法の適用が可能ともなる。図は臨界電流密度Jcの磁界依存性を示したグラフである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 高磁界領域において、高い臨界電流密度に加え、高い輸送電流が得られる強磁場用のGe添加Nb↓3Al基超伝導線材が実現される。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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