窒化ホウ素ナノチューブの製造方法

開放特許情報番号
L2006005336
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2015/10/8

基本情報

出願番号 特願2003-177086
出願日 2003/6/20
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2005-008495
公開日 2005/1/13
登録番号 特許第3893465号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 窒化ホウ素ナノチューブの製造方法
技術分野 無機材料、化学・薬品
機能 材料・素材の製造、加熱・冷却
適用製品 窒化ホウ素ナノチューブ、半導体材料、エミッター材料、耐熱性充填材料、高強度材料、触媒
目的 炭素等の不純物を含まない高純度の窒化ホウ素ナノチューブをより大量に製造する方法を提供する。
効果 半導体材料、エミッター材料、耐熱性充填材料、高強度材料、触媒等の分野において、従来にない特性を有する新材料として利用されることが期待されている窒化ホウ素のナノチューブが、より大量に製造される。
技術概要
本発明の窒化ホウ素ナノチューブの製造方法は、不活性ガスを下から上向きに、アンモニアガスを上から下向きにそれぞれ反応室内に導入しながら、等モルのホウ素と酸化マグネシウムの混合物を1500℃に加熱することを特徴とする。図に示すように、窒化ホウ素製のるつぼ内に、ボールミルで6時間かけて粉砕して十分に微粉化したホウ素と酸化マグネシウムの混合物1を入れ、この混合物1の入ったるつぼを高周波誘導加熱炉2中の窒化ホウ素製のボート3に取り付けた。高周波誘導加熱炉2の下方からアルゴンガスを400sccmの流速で反応室4内へ導入し、上方からアンモニアガスを80sccmの流速で反応室4内へ導入しながら、混合物1及び反応室4の温度を1500℃に維持した。この温度で15分間反応させた後、高周波誘導加熱炉2を室温に冷却し、反応室4の壁から白色の窒化ホウ素ナノチューブが高純度、高収率で得られる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 半導体材料、エミッター材料、耐熱性充填材料、高強度材料、触媒等の分野において、従来にない特性を有する新材料として利用されることが期待されている窒化ホウ素のナノチューブが、より大量に製造される。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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