光透過性カーボン系薄膜とその製造方法

開放特許情報番号
L2006005319
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2003-108356
出願日 2003/4/11
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2004-315854
公開日 2004/11/11
登録番号 特許第4126372号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 ソーラーパネルとその製造方法
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 光透過性カーボン系薄膜
目的 ソーラーパネルのコーティング材などとして可視光領域から赤外線領域にわたる広い範囲の光を利用できる、効率の良い光学特性を有する光透過性カーボン系薄膜とその製造方法を提供する。
効果 ソーラーパネルのコーティング材などとして可視光領域から赤外線領域にわたる広い範囲の光を利用できる、効率の良い光学特性を有する光透過性カーボン系薄膜とその製造方法が提供される。
技術概要
シリコン基板上にカーボン薄膜を成膜すると同時にカーボン薄膜に窒素を添加して窒素を含有するカーボン系薄膜を形成し、その後熱処理を行うことで窒素の含有量を減少させてカーボン系薄膜の屈折率および吸収係数を調整する、光透過性カーボン系薄膜の製造方法である。図1に示すようなRFマグネトロンスパッタ装置1(13.56MHz、100W)を用い、高純度のグラファイト(99.999%)をグラファイトターゲット2とし、RF源3により発生させた高周波プラズマ(混合プラズマ)4でシリコン基板5の表面上にカーボン薄膜を成膜する。成膜の時間は15分間であって、その際にアルゴン供給源6、窒素供給源7、水素供給源8よりそれらのガスを適宜RFマグネトロンスパッタ装置1内に供給し一般的なプラズマガスであるアルゴンに窒素(あるいは窒素と水素)を添加して高周波プラズマ4を発生させてスパッタを行い、成膜するカーボン薄膜中に窒素(あるいは窒素と水素)を含有させつつシリコン基板5上に100〜200nm厚さのカーボン系薄膜を成膜する。なお、マニピュレータ9によりシリコン基板5の位置の調整を行う。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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