高純度超微粒子透光性立方晶窒化ホウ素焼結体とその製造方法

開放特許情報番号
L2006005288
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2003-041715
出願日 2003/2/19
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2004-250278
公開日 2004/9/9
登録番号 特許第4061374号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 超微粒子cBN焼結体の製造法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 高純度超微粒子透光性立方晶窒化ホウ素焼結体
目的 従来の高純度cBN焼結体の合成技術ではなし得なかった、構成粒子径が0.1μm以下の微細な構造を有し、かつcBN含有量が100%の高純度超微粒子透光性cBN焼結体を得る。
効果 低圧相窒化ホウ素を原料に用いた反応焼結法を9.5万気圧領域で行うことにより、従来の技術では得られなかった平均粒子径0.1μm以下の透光性高硬度cBN超微粒子焼結体の供給が可能となる。
技術概要
低圧相窒化ホウ素を原料として、立方晶窒化ホウ素(cBN)が熱力学的に安定な9.5万気圧以上、1700℃以上1900℃以下の圧力、温度で立方晶相への高圧相転移を伴いながら助剤無添加で焼結した、cBN含有量が100%で、焼結体の平均粒子径が0.1μm以下で透光性を呈する、高純度超微粒子cBN焼結体である。例えば、真空中で1500℃、窒素気流中で2000℃の熱処理による脱酸素処理を施した六方晶窒化ホウ素焼結体(粒径約0.5μm)を高圧容器内のタンタルカプセルに充填し、ベルト型超高圧力発生装置により9.5万気圧、1700℃、の圧力、温度条件で30分間焼結する。この際に、いっさいのcBN焼結助剤は添加しない。昇温速度は5℃/分程度で、500℃/分程度で冷却後、除圧し試料を圧力容器内のタンタルカプセルと共に回収する。図1は合成した高純度透光性超微粒子cBN焼結体のX線回折図形、図2、図3は合成した高純度透光性超微粒子cBN焼結体の破断面の図面代用走査型電子顕微鏡写真である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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