単結晶ホウ酸マグネシウムのナノチューブとその製造方法

開放特許情報番号
L2006005281
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2003-006295
出願日 2003/1/14
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2004-315237
公開日 2004/11/11
登録番号 特許第3918052号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 単結晶ホウ酸マグネシウムのナノチューブとその製造方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 単結晶ホウ酸マグネシウムのナノチューブ
目的 熱ルミネッセンスや耐摩耗性添加剤として有用であり、性能の向上が見込まれる新規な三成分系のホウ酸マグネシウムのナノチューブとその製造方法を提供する。
効果 新規な三成分系のホウ酸マグネシウムのナノチューブが提供される。熱ルミネッセンスや耐摩耗性添加剤としての応用と性能の向上が期待される。
技術概要
非晶質のホウ素粉末(純度99.9%、粒子径約50nm)をアセトン中に超音波分散させた分散液を、鏡面研磨した直径25.4mmのシリコンウエハー上に滴下して薄膜を形成させる。このシリコンウエハーをホウ素の薄膜が付いた面を下向きにして窒化ホウ素製の支持台に取り付ける。また、マグネシウムの小片をそのシリコンウエハーの下に2mm離して配置する。この反応系を5Torr以下に減圧した後、アルゴン(500ml/min)と酸素(10ml/min)の混合ガスを流す。赤外線照射加熱炉を用いてシリコンウエハーの上部から急速に850℃に加熱する。このとき、シリコンウエハーの下に位置するマグネシウム小片の温度は500〜550℃となる。シリコンウエハーの加熱温度は、基板に付着する量、反応性等を考慮し、800〜900℃が適当である。30分間加熱を続けた後、反応系を室温に冷却する。反応後のシリコンウエハーを、走査型電子顕微鏡を用いて観察するために小さく分割する。図1(a)、(b)、(c)、(d)は、それぞれ、加熱前の試料の走査型電子顕微鏡像、加熱後の試料の走査型電子顕微鏡像、加熱後の試料の走査型電子顕微鏡像の拡大像である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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