単結晶粒子が配向されたセラミックス高次構造体の製造方法

開放特許情報番号
L2006005276
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2003-079130
出願日 2003/3/20
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2004-131363
公開日 2004/4/30
登録番号 特許第4576522号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 多層セラミックス高次構造体とその製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 単結晶粒子が配向されたセラミックス高次構造体
目的 鋳込み成形のための型や容器を必要せずに、簡便に、単結晶粒子の配向性と層厚の制御を可能として、高度にセラミックス単結晶粒子が配向された単層または多層のセラミックス高次構造体を提供する。
効果 従来のような鋳込み成形のための型や容器を必要とせず、簡便に、単結晶粒子の配向性と層厚の制御を可能として、高度にセラミックス単結晶粒子が配向された単層または多層のセラミックス高次構造体が提供できる。
技術概要
帯電させたセラミックス単結晶粒子のサスペンションに磁場を印加することにより単結晶粒子を配向させ、その配向を保持した状態でサスペンションに電場を印加し、帯電したセラミックス単結晶粒子を電気泳動させながら電極基板もしくはその上のセラミックス単結晶粒子層上に堆積させる単結晶粒子が配向されたセラミックス高次構造体の製造方法である。セラミックス単結晶粒子は、αアルミナ単結晶粒子である。セラミックス単結晶粒子の平均粒径が0.02〜3.0μmである。図1は立方晶以外の結晶構造を持つ単結晶粒子を示したものであり、使用するセラミックス単結晶粒子もこのような構造をしている。図2はこのような構造をした単結晶粒子が磁場(B)の影響をうけて回転している態様を示したものである。図3はセラミックス単結晶粒子1が配向したサスペンションに、上方が陰極基板3および下方が陽極基板4になるような電極基板を浸漬し、直流電流を印加して配向されたセラミックス単結晶粒子1が配向されたままの状態で磁場上方の陰極基板3に堆積されている状態を示している。図4は、装置の概要であり、強磁場(10T)中における電気泳動法(EPD)の態様を示している。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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