窒化硅素(Si3N4)ナノロッドとその製造方法

開放特許情報番号
L2006005271
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2003-021044
出願日 2003/1/29
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2004-231456
公開日 2004/8/19
登録番号 特許第4000371号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 窒化硅素(Si3N4)ナノロッドとその製造方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 窒化硅素(Si3N4)ナノロッド
目的 実用化に適用できる性能を有するとともに、安価で簡便に、しかも大量に合成することのできる、新しい窒化硅素(Si↓3N↓4)ナノロッドとその製造方法を提供する。
効果 実用化に適用できる性能を有するとともに安価で簡便にしかも大量に合成することができる、新しい窒化硅素(Si↓3N↓4)ナノロッドとその製造方法が提供される。機械的、化学的、電子的、および耐熱性に優れた特質を有するとともにその応用への大きな潜在力を有している窒化硅素(Si↓3N↓4)ナノロッドの広範な分野への応用が可能とされる。
技術概要
直径が20〜80nmで長さが1〜10ミクロンである窒化硅素(Si↓3N↓4)ナノロッドである。例えば、長さが50cm、直径12cm、肉厚0.25cmの縦型石英管の中に、長さ7cm、外径4.5cm、内径3.5cmの高純度グラファイト製の誘導加熱円筒管を設置する。この円筒管の中に、高さ2cm、直径2cmのグラファイト製るつぼを入れ、るつぼの中に純度99.9%の一酸化ケイ素粉末と非晶質活性炭を入れる。活性炭は一酸化ケイ素の上に覆うようにする。窒素雰囲気下で、1380℃、2時間加熱する。1380℃で一酸化ケイ素の粉末が蒸気化し、反応する。反応が終了した後、窒化珪素ナノロットがるつぼの底に生成した。図1は、生成された窒化珪素(Si↓3N↓4)ナノロッドを透過型電子顕微鏡を用いて観察した像の写真である。図2は、(a):窒化珪素(Si↓3N↓4)ナノロッドの直線状部位を透過型電子顕微鏡を用いて観察した像の写真と、(b)(c):(a)に対応する電子線回折(ED)パターンと、(d):結晶化されていることを示す高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM)像の写真である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT