ニッケルまたは珪化ニッケルが充填された窒化ホウ素ナノチューブの製造方法

開放特許情報番号
L2006005253
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2002-358690
出願日 2002/12/10
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2004-189527
公開日 2004/7/8
登録番号 特許第3834638号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 ニッケルまたは珪化ニッケルが充填された窒化ホウ素ナノチューブの製造方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 ニッケルまたは珪化ニッケルが充填された窒化ホウ素ナノチューブ
目的 炭素などの不純物を含むことのない高純度な、ニッケルまたは珪化ニッケルが充填された窒化ホウ素ナノチューブを提供する。
効果 マイクロエレクトロニクス部品、高性能セラミックス、オプトエレクトロニクス部品、触媒などの分野において、耐酸化性コーティング層、絶縁層、反応促進剤などとして利用可能であり、炭素などの不純物を含むことのない高純度な、ニッケルまたは珪化ニッケルが充填された窒化ホウ素ナノチューブの製造方法が提供される。
技術概要
ニッケル基板と、ホウ素および酸化マグネシウムの混合物を不活性ガス気流中においてニッケル基板の加熱温度が混合物の加熱温度よりも低くなるように加熱し、ホウ素と酸化マグネシウムを反応させて酸化ホウ素の蒸気とマグネシウムの蒸気を発生させ、酸化ホウ素の蒸気とマグネシウムの蒸気の混合蒸気をニッケル基板上に導き、さらにアンモニアガスを供給してニッケル基板上で混合蒸気の酸化ホウ素と反応させて窒化ホウ素ナノチューブを形成するとともに、ニッケル基板中のニッケルを窒化ホウ素ナノチューブ内に充填するニッケルが充填された窒化ホウ素ナノチューブの製造方法である。図1(a)はニッケルあるいは珪化ニッケルを含まない窒化ホウ素ナノチューブのX線回折のパターン、(b)はニッケル基板上に堆積した生成物のX線回折のパターン、(c)はニッケル薄膜の付着したシリコンウェハー上に堆積した生成物のX線回折のパターンである。図2(a)、(b)はニッケル基板上に堆積した生成物の透過型電子顕微鏡像の写真、(c)、(d)はニッケル薄膜の付着したシリコンウェハー上に堆積した生成物の透過型電子顕微鏡像の写真である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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