n型伝導性酸化亜鉛上への低接触抵抗電極の形成法

開放特許情報番号
L2006005246
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2002-350571
出願日 2002/12/3
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2004-183038
公開日 2004/7/2
登録番号 特許第3855051号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 n型伝導性酸化亜鉛上への低接触抵抗電極の形成法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 n型伝導性酸化亜鉛上の低接触抵抗電極
目的 電気、電子素子に利用されるn型伝導性を特徴とする酸化亜鉛との接触抵抗が小さく、また、耐酸化性に優れたインジウム金属電極を蒸着法により形成することである。特に、1ミリを下回るサイズの小型の良質なインジウム金属電極をn型伝導性酸化亜鉛膜上に形成すること、また、熱処理を施すことなく、すなわち、酸化亜鉛材料の欠陥構造や不純物の状態を変化させることなく、小型の電極を形成する技術を提供する。
効果 電気、電子素子に利用されるn型伝導性酸化亜鉛膜にインジウム金属電極を真空蒸着によって形成する方法を採用した場合に問題となる電極の密着性、インジウム金属電極が持つ低い耐酸化性を改善することによって、オーミック性に優れた安定した低抵抗インジウム金属電極を形成することができ、インジウム金属電極の接触抵抗による発熱を低減し、また、インジウム金属電極の抵抗によるノイズの発生を低減することが可能であり、電気、電子素子の安定動作を実現することができる。
技術概要
真空槽に、直流プラズマ放電を可能とするためのアノード電極とアノード電極に対向して配置したカソード電極と、インジウム金属の真空加熱蒸着を実現するに足る高温を実現できるインジウム金属を充填した加熱容器と、を配置し、カソード電極上にn型伝導性酸化亜鉛を用いた電気、電子素子を配置し、真空槽内を排気し、しかる後に、アルゴンガスを真空槽に導入し、直流プラズマが発生するに適当な圧力を保持し、直流プラズマが発生した状態において、インジウム金属を加熱・蒸発させて、n型伝導性酸化亜鉛表面に直流電界下でプラズマを照射しながらインジウムを蒸着させてインジウム金属電極を形成するn型伝導性酸化亜鉛上への低接触抵抗電極の形成法である。図において、真空槽9に流量制御弁を介してアルゴンガスを導入し、真空度が10パスカルほどで安定した状態を維持した状態で、プラズマの発生が確認された後に、インジウム金属を充填した抵抗加熱ヒーター5に、加熱用電源7から電流を通じ、インジウム金属を加熱・溶融・蒸発させ、直流電界下でプラズマを照射しながらインジウム金属を電気、電子素子3の酸化亜鉛膜上にマスクに沿って膜厚が約300ナノメータとなるように蒸着した。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT