巨大磁気抵抗効果を有する擬3元系金属間化合物とこの化合物を使用した磁気センサー

開放特許情報番号
L2006005243
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2002-345172
出願日 2002/11/28
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2004-179467
公開日 2004/6/24
登録番号 特許第3757277号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 巨大磁気抵抗効果を有する擬3元系金属間化合物とこの化合物を使用した磁気センサー
技術分野 化学・薬品、金属材料
機能 検査・検出、材料・素材の製造
適用製品 巨大磁気抵抗効果を有する擬3元系金属間化合物とこの化合物を使用した磁気センサー
目的 幾何学的フラストレーションに起因した準安定状態により巨大磁気抵抗効果を発現する金属間化合物とこの化合物を利用してなる高感度磁気センサーを提供する。
効果 巨大磁気抵抗効果は、幾何学的フラストレーションに起因した準安定状態を利用している点で、従来知られている原理による発明とは全く異なっており、むしろこの不安定な状態によって、対称性を破る外部磁場等の外場に敏感に応答しうる、巨大磁気抵抗効果を有してなる金属間化合物とこの金属間化合物を使用した新規な磁気センサー、すなわち、これまでとは全く異なる原理に基づいた磁場センサーを提供できる。
技術概要
六方晶ZrNiAl型結晶構造を有し、且つ巨大磁気抵抗効果を有してなる、一般式;RXZで表される組成を有する擬3元系金属間化合物である。式中、RはPr〜Luまでのランタノイド系列及び、Y或いはScより選ばれる1種又は2種以上の元素、XはNi、Pd、Ptよりなる1種又は2種以上の8族元素、ZはB、Al或いはGaよりなる1種又は2種以上の3B族元素である。擬3元系化合物材料は、TbPd↓1↓−↓xNi↓xAlで表される擬3元系化合物である。xは、0≦x≦1の数値範囲を示している。磁気構造が反平行から平行に変化した時に生ずる巨大磁気抵抗(GMR)効果は、図1に示すようにスピンに依存した界面散乱を仮定することで説明される。H=0では、+及び−スピンを持った伝導電子は、反平行のスピンを持った磁性層の界面で強く散乱されて、大きな電気抵抗を持つ。これに対し、H>Hsの場合、磁性層内の磁化の向きが一方向に揃えられると、同じ向きの伝導電子は界面で散乱されないため、全体として電気抵抗は減少することを示している。図2は、金属間化合物RPdAlの結晶構造を表す概念図であり、六方晶ZiNiAl型と同様の構造である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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