配向性多層ナノチューブの製造方法

開放特許情報番号
L2006005240
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2002-337912
出願日 2002/11/21
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2004-168611
公開日 2004/6/17
登録番号 特許第3893458号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 配向性多層ナノチューブの製造方法
技術分野 化学・薬品、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 配向性多層ナノチューブ
目的 半導体材料、フラットパネルディスプレイ材料、エミッター材料、耐熱性充填材料、高強度材料、触媒等として有用である高い配向性を有する多層窒化ホウ素ナノチューブあるいはホウ素・炭素・窒素原子からなる多層ナノチューブを、簡便に製造することを可能とする新しい配向性多層ナノチューブの製造方法を提供する。
効果 半導体材料、フラットパネルディスプレイ材料、エミッター材料、耐熱性充填材料、高強度材料、触媒等として有用である高い配向性を有する多層窒化ホウ素ナノチューブあるいはホウ素・炭素・窒素原子からなる多層ナノチューブを、簡便に製造することを可能とする新しい配向性多層ナノチューブの製造方法が提供できる。
技術概要
配向性多層ナノチューブの製造方法は、高温下において、酸化ホウ素、酸化銅、酸化モリブデン、および、窒素を、カーボンナノチューブに反応させることにより、配向性を有する多層窒化ホウ素ナノチューブを生成する。このとき、雰囲気の温度は1500K〜2500Kとし、また、流動する窒素ガス雰囲気中において、カーボンナノチューブ、酸化ホウ素、酸化銅、酸化モリブデン、および、窒素を反応させることが好ましい。また、反応後に得られる生成物を、流動する窒素ガス雰囲気中において室温まで冷却することが好ましい。出発物質として、多層カーボンナノチューブを用意しておく必要がある。多層カーボンナノチューブはステンレススチール製の研磨したウェーハを基板とし、窒素ガス、水素ガス、および、メタンガスを、CVD法により基板温度約773Kで反応させ、基板上に堆積させることにより得られる。図1は、製造方法を実施するための構成について示した概要図である。図2は、多層窒化ホウ素ナノチューブの高分解能透過型電子顕微鏡像である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 極めて高い配向性を有する多層窒化ホウ素ナノチューブあるいはホウ素・炭素・窒素原子からなる多層ナノチューブが、簡便かつ安価に製造される。これらの配向性多層ナノチューブは、半導体材料、フラットパネルディスプレイ材料、エミッター材料、耐熱性充填材料、高強度材料、触媒等として、従来にない特性を有することから、先端分野の高機能材料としての利用が期待される。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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