ZnO単結晶の育成炉と単結晶育成法

開放特許情報番号
L2006005222
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2002-294367
出願日 2002/10/8
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2004-131301
公開日 2004/4/30
登録番号 特許第3837522号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 ZnO単結晶の育成炉と単結晶育成法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 ZnO単結晶の育成炉
目的 化学気相輸送法によって酸化亜鉛単結晶を育成するにあたり、原料の単結晶化率を高め、大型結晶を得る。
効果 酸化亜鉛は、それ自身が励起子光学材料として利用され、また、光触媒、紫外線遮断窓、として利用される。そのため、酸化亜鉛単結晶育成炉と酸化亜鉛単結晶育成法を利用することにより、こうした光・電子素子用の素材としての酸化亜鉛単結晶の安全、かつ、効率の良い成長が実現される。
技術概要
炉内の低酸素分圧部分において酸化亜鉛原料を加熱・蒸発させ、気化した酸化亜鉛成分を気流にのせて炉内の結晶析出部位まで輸送し、再析出、結晶化させる、化学気相輸送法による酸化亜鉛単結晶育成に用いる炉であって、加熱用熱源、原料付近に原料の蒸発を促進する還元雰囲気を生じさせるために導入するガスをその導入量を調整しつつ導入するための機構、結晶析出部位付近に結晶の再析出を促進させるための酸化雰囲気を生じさせるために導入するガスをその導入量を制御しつつを導入するための機構、雰囲気を保つためガスを封じるにたる気密性をもった反応管とし、原料の蒸発、結晶の析出の進行状況に合わせて、炉内の温度分布、又は、析出結晶、及び、蒸発原料の位置を変化させることによって、原料の蒸発量と結晶の析出量を制御することが可能となる機能を備えた、酸化亜鉛単結晶育成炉である。この機能を有する炉を使用して、水素を含むガスによって気化した原料を輸送し、酸化ガスによって気体を再酸化し析出させて酸化亜鉛単結晶を得る結晶製造法である。図1は、典型的な炉の構成を示す概念図、図2は、酸化亜鉛単結晶育成安定化のための方法を示す基本概念図である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT