ナノ構造の選択的形成方法

開放特許情報番号
L2006005221
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2002-282302
出願日 2002/9/27
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2004-119763
公開日 2004/4/15
登録番号 特許第3987922号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 ナノ構造の選択的形成方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 ナノ構造の選択的形成
目的 高効率かつ高い制御性を持ってナノ構造の選択的な配列を行うことのできる新しいナノ構造の選択的形成方法を提供する。
効果 高効率かつ高い制御性を持ってナノ構造の選択的な配列を行うナノ構造の選択的成長方法が提供できる。
技術概要
2種の半導体へテロ系のヘテロ構造上にナノ構造の液滴を成長させるナノ構造の選択的形成方法であって、ヘテロ界面に形成されるミスフィット転位を制御することにより、ナノ構造の密度を規定する。2種の半導体ヘテロ系のヘテロ界面は、III−V族/III−V族ヘテロ系のヘテロ界面であるか、またはIV族/IV族ヘテロ系のヘテロ界面である。ミスフィット転位線の周期、ナノ構造分子のサイズおよびミスフィット転位線とナノ構造の間隔の少くともいずれかを制御する。2種類の半導体の内の一方を基板とし、この基板上に他方の半導体を成長層として成長させることでヘテロ系を形成する際に、成長層の膜厚によりミスフィット転位線の周期を制御する。III−V族/III−V族ヘテロ系は、InAs/GaAsヘテロ系、およびInSb/GaAsヘテロ系のいずれかである。IV族/IV族ヘテロ系は、Ge/Siヘテロ系である。図は、Gaを0.1ML/sの速度で成長させたときのfilled−stateSTM像である。得られたGa液滴の粒径平均は2.8nm、密度は9.7×10↑1↑1/cm↑2である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 従来のナノ構造成長方法において必須であったパターン作製プロセスや複数のチャンバー間での輸送が省略され、ナノテクノロジー製品の生産性が向上する。このナノ構造の選択的成長方法により形成されるナノ構造は、極めて高品質であることから、ナノテクノロジー製品の高度化に大きく貢献するものと期待される。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT