酸化炭素薄膜、酸化窒化炭素薄膜および酸化ダイヤモンド状炭素薄膜とこれら酸化炭素系薄膜の製造方法

開放特許情報番号
L2006005212
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2002-268453
出願日 2002/9/13
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2004-107102
公開日 2004/4/8
登録番号 特許第3931229号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 酸化炭素薄膜および酸化窒化炭素薄膜とこれら酸化炭素系薄膜の製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 酸化炭素薄膜、酸化窒化炭素薄膜、酸化ダイヤモンド状炭素薄膜
目的 湿潤雰囲気においても安定で、基板に対する付着性および電子線リソグラフィー等の微細加工性に優れた新しい酸化炭素薄膜、酸化窒化炭素薄膜および酸化ダイヤモンド状炭素薄膜とこれら酸化炭素系薄膜の製造方法を提供する。
効果 湿潤雰囲気においても安定で、基板に対する付着性および電子線リソグラフィー等の微細加工性に優れた新しい酸化炭素薄膜、酸化窒化炭素薄膜および酸化ダイヤモンド状炭素薄膜とそれらの製造方法を提供できる。
技術概要
一酸化炭素を含む原料ガスをプラズマ分解し、発生したプラズマ生成成分のうちのイオンの少なくとも一部で炭素原料をスパッタし、プラズマの生成成分の少なくとも一部とスパッタされた炭素原子との反応物を基板上に堆積させる酸化炭素系薄膜の製造方法である。原料ガスが一酸化炭素であって、酸化炭素を基板上に堆積させる。原料ガスが一酸化炭素と飽和炭化水素の混合ガスであって、酸化ダイヤモンド状炭素を基板上に堆積させる。その原料ガスが一酸化炭素、飽和炭化水素および水素の混合ガスである、飽和炭化水素が、メタン、エタン、ヘキサンのいずれか1種あるいは2種以上の混合物であって酸化炭素系薄膜を、原料ガスが一酸化炭素と窒素の混合ガスであって、酸化窒化炭素を基板上に夫々堆積させる。組成が、一般式CO↓X(式中、0<x<0.26)で表され、結晶構造が立方晶系欠陥型閃亜鉛鉱型構造あるいはこれを基本とする不完全結晶から非晶質の間の結晶構造であり、シート電気抵抗が109ohm以上である。酸化炭素薄膜の場合、原子のおおよその結合は、図1のようになると推測される。図2、3に示すような構成の容量結合型プラズマ分解反応性スパッタ装置等を利用するのが好ましい。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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