リソグラフィ用基板材料

開放特許情報番号
L2006005210
開放特許情報登録日
2006/9/8
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2002-261844
出願日 2002/9/6
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2004-103733
公開日 2004/4/2
登録番号 特許第3921528号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 リソグラフィ用基板被覆構造体
技術分野 有機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 リソグラフィ用基板材料
目的 電子線リソグラフィにおいて、高エネルギーの電子線を照射したときに、後方散乱電子が基板から発生するのを防ぎ、効率のよいハレーション防止を達成させることができ、より微細な図形を正確に電子線露光することのできるリソグラフィ用基板材料およびリソグラフィ用基板を提供する。
効果 リソグラフィ用基板材料に対して高エネルギー電子線を入射したとき、後方散乱電子が基板から発生するのを防ぐことができ、効率のよいハレーション防止を達成することができる。この基板を電子線リソグラフィに用いると電子線露光装置は従来基板を用いた場合より高い分解法を発揮し、より微細で正確な形状のレジストパターンを製造することができる。
技術概要
リソグラフィ用基板材料は、500nm以上20μm以下の厚さの窒化炭素層、窒化酸化炭素層あるいは酸化炭素層と、5nm以上150nm以下の厚さの非晶質炭素層との多層膜によって、下地の基板の表面が被覆されている。窒化炭素層は、CN↓x(0<x≦0.71)で表され、窒化酸化炭素層は、CN↓xO↓y(0<x≦0.71、0<y≦0.26)で表され、酸化炭素層は、CO↓y(0<y≦0.26)で表される。図は、リソグラフィ用基板材料のうち、導電性基板下地に対して適用した場合の構造と原理を示した概念図である。図aのように、まず導電性を有する基板3の表面に窒化炭素(CN↓x)膜、窒化酸化炭素(CN↓xO↓y)膜あるいは酸化炭素(CO↓y)膜4を形成する。入射電子線1は平均原子番号約4.0のレジスト層2をほとんど透過し、平均原子番号6のa−C膜5および平均原子番号6.4のCN↓x膜、CN↓xO↓y膜あるいはCO↓y膜4に順次入射する。入射電子線1はこれらの層を透過する間、前方散乱を受け、Bethe領域と呼ばれる前方散乱コーン7の範囲内に拡散する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 このリソグラフィ用基板材料はたとえば反応性スパッタリング法などにより安価に大量に製造することができ、得られる製品の歩留まりはきわめて高い。この基板材料を用いることにより電子線露光の分解能は理論的限界の約10nmの精度まで高めることが可能となり、微細加工産業およびその科学技術分野、半導体、磁性体ならびに誘電体などの電子産業およびそれらの科学技術分野に寄与するところが大きい。
改善効果2 被覆材は、役割を終えたときに焼却することが可能であり、大気に散逸しても無害である。したがって、原料として用いる炭素、一酸化炭素ならびに窒素は循環的であり、その循環が環境に及ぼす負荷が極めて小さいものである。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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