| 出願番号 |
特願2006-000007 |
| 出願日 |
2006/1/4 |
| 出願人 |
国立大学法人 筑波大学 |
| 公開番号 |
特開2007-183106 |
| 公開日 |
2007/7/19 |
| 登録番号 |
特許第4534045号 |
| 特許権者 |
国立大学法人 筑波大学 |
| 発明の名称 |
ヘテロダインビートプローブ走査プローブトンネル顕微鏡およびこれによってトンネル電流に重畳された微小信号の計測方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
検査・検出 |
| 適用製品 |
スピン偏極トンネル電子顕微鏡、近接場光顕微鏡、精度の高い安定したＲＦ−ＳＴＭ信号解析技術の確立 |
| 目的 |
微小なＲＦ信号検出を容易にかつ確実に行うことのできるヘテロダインビートプローブ走査プローブ顕微鏡、更にはこの走査プローブ顕微鏡によるトンネル電流に重畳された微小電流の計測方法の提供。 |
| 効果 |
既知の外部重畳高周波信号もしくは外部重畳電磁波を使用するために、微小な信号、例えば微小なＲＦ信号検出を容易かつ確実に行うことの出来るヘテロダインビートプローブ走査プローブ顕微鏡、更にはヘテロダインビート信号を特定することによって微小信号を計測する方法を提供することができる。 |
技術概要
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この技術では、既知の外部重畳参照高周波（ＲＦ）信号もしくは外部重畳参照電磁波信号および未知の高周波信号もしくは電磁波信号を走査プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）にセットされた試料と該試料に対向する探針との間に付与し、外部重畳参照高周波信号もしくは外部重畳参照電磁波信号を未知の高周波信号もしくは電磁波信号に干渉させてヘテロダインビート信号を発生させる。具体的には、探針は非接触トンネル領域から１００ｎｍ程度の表面深度までのヘテロダインビートプローブ動作範囲で動作させることになる。ホーン電磁波照射、光照射、接触針注入などいわゆる電磁波を試料表面に注入して表面プラズモンを励起して電磁場を発生させる。この電磁場の発生は、探針と試料との間の空間を電磁波照射する方法と接触させて表面電流を流す方法が採用され得、針先のニアフィールドを用いて微小信号を発生させることになる。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
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