酸化銅薄膜の成膜方法

開放特許情報番号
L2006004936
開放特許情報登録日
2006/9/1
最新更新日
2015/10/6

基本情報

出願番号 特願2002-086668
出願日 2002/3/26
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2003-277912
公開日 2003/10/2
登録番号 特許第3837498号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 酸化銅薄膜の成膜方法
技術分野 金属材料
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 高温、高湿中で高速回転するタービン、宇宙ステーションの駆動装置
目的 低い摩擦係数を持つ薄膜の形成を容易とすることのできる、新しい技術手段の提供。
効果 摩擦係数を任意に制御することが容易に可能となることから、タービン、真空遮断器や宇宙駆動材料などの電力分野、航空・宇宙用部材のコーティング材料の製造に貢献するものと考えられる。
技術概要
この技術では、ターゲットにCuOを用いたマグネトロンスパッタ蒸着を、汎用性のあるSUS304ステンレス鋼鏡面研磨表面(表面粗さ約40nm)に対して施す。即ち、真空度:約1×10↑(−4)Pa以下、Ar:純度99.999%、0.4Pa、RFパワー:100W、基板温度:333K、予備加熱時間:15分、スパッタ時間:30分の条件により、プラズマ中の基板の位置(ターゲット−基板間の距離)を変化させて成膜を行う。ここで、ターゲット−基板間の距離が45mm、または、65mmである薄膜においては、真空中での摩擦係数と大気中での摩擦係数がほぼ等しいことがわかる。一方、ターゲット−基板間の距離が60mmである場合には、真空中の摩擦係数が大気中でのそれと比して低い値を示していることがわかる。逆に、55mmでは、大気中よりも真空中において摩擦係数が非常に大きな値を示している。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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