メモリー構造とその読み出し機構

開放特許情報番号
L2006004935
開放特許情報登録日
2006/9/1
最新更新日
2015/10/6

基本情報

出願番号 特願2002-084380
出願日 2002/3/25
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2003-281776
公開日 2003/10/3
登録番号 特許第4113942号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 メモリー構造とその読み出し機構
技術分野 情報・通信
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 コンピューター、大容量且つ高速読み出しの次世代の記憶媒体
目的 CD−ROM、DVD−ROMと比べて大容量且つ読み出し速度が高速の次世代の記憶媒体としての利用が期待できる、新しいメモリー構造とその読み出し機構の提供。
効果 CD−ROM、DVDROMと比べ、簡単な構造で大容量の情報を書き込むことができ、さらに高速で読み出すことのできる次世代の記憶媒体としての利用が期待できる、新しいメモリー構造およびその読み出し機構が提供できる。
技術概要
この技術では、シリコン基板上に誘電体もしくは導電体が堆積され、その上部にその誘電体もしくは導電体とは誘電率の異なる誘電体が堆積されたメモリー構造であって、下部誘電体層もしくは下部導電体層が基板上の所定位置に配積されており、その上に上部誘電体層が、下部誘電体層もしくは下部導電体層が存在しない基板表面も含めて基板上の所定の平面範囲に堆積されたメモリー構造とし、そのメモリー構造に対し、マイクロ波で走査することによりマイクロ波の共振周波数の変化あるいは波長変化を検出し、下部誘電体層もしくは下部導電体層が検出される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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