酸化亜鉛薄膜の低圧低温気相合成方法

開放特許情報番号
L2006004924
開放特許情報登録日
2006/9/1
最新更新日
2015/10/6

基本情報

出願番号 特願2002-057748
出願日 2002/3/4
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2003-253445
公開日 2003/9/10
登録番号 特許第3849012号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 酸化亜鉛薄膜の低圧低温気相合成方法
技術分野 金属材料、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 研究開発用基板、透明導電性薄膜、紫外発光材料
目的 酸化亜鉛薄膜の気相合成温度の低温化と得られる酸化亜鉛薄膜の配向性の改善。
効果 薄膜合成の基板温度の低温化へ貢献し、非平衡プロセスを利用した蒸気圧の大きな元素や酸化物には固溶しにくい窒素等の難固溶性元素の添加に貢献する。
技術概要
この技術では、酸化亜鉛薄膜の10↑(−2)Torr以下の低圧力薄膜合成において、まず、基板温度500℃から700℃で基板表面を部分的に覆う酸化亜鉛を一次的に合成し、その後、配向酸化亜鉛を核として400℃以下の基板温度で酸化亜鉛薄膜を二次的に合成する第一の方法、または、400℃以下の基板温度で酸素ラジカルと基板間の距離を縮めて基板に照射されるラジカル密度を高めて配向酸化亜鉛粒子を一次的に合成し、その後、酸素ラジカル源と基板間の距離を離して、配向酸化亜鉛粒子を核として基板温度400℃以下の温度で酸化亜鉛薄膜を二次的に合成する方法からなり、一次的な合成と二次的な合成の酸素ラジカル密度の差が3倍以上とする第二の方法のいずれかにより高配向酸化亜鉛薄膜を低圧低温合成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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