誘電体薄膜ならびに強誘電体メモリおよび集積回路

開放特許情報番号
L2006004872
開放特許情報登録日
2006/9/1
最新更新日
2015/10/6

基本情報

出願番号 特願2001-189808
出願日 2001/6/22
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2003-007983
公開日 2003/1/10
登録番号 特許第3507891号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 誘電体薄膜ならびに強誘電体メモリおよび集積回路
技術分野 情報・通信
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 不揮発性メモリ、次世代集積回路、電界効果型強誘電体メモリ
目的 界面反応を抑制して、高温でも安定な誘電体/半導体構造を実現することのできる、新しい誘電体薄膜、ならびに新しい強誘電体メモリおよび集積回路の提供。
効果 界面反応を抑制し、高温でも安定な誘電体/半導体構造を実現することのできる、新しい誘電体薄膜が提供され、この誘電体薄膜を用いることで、低消費電力・高速・高集積性と安定性とを兼ね備えた次世代強誘電体メモリおよび次世代集積回路が実現できる。
技術概要
この技術では、誘電体薄膜を、半導体基板上に形成する際に、介在層として絶縁体単原子炭素膜を設けるようにしたものである。たとえば、Si、GaAsなどの半導体基板上に絶縁体炭素膜を1原子層からたとえば数十nm成長させ、さらにその上に酸化物、窒化物、フッ化物、硫化物などを含む誘電体特性を示す材料を積層させる。即ち、まずSi(100)基板上に室温で20nmの単原子炭素膜を堆積し、それを700℃で酸素雰囲気にて加熱し、続いてその上に700℃で高誘電体材料であるSrTiO↓3を堆積する。作製した誘電体薄膜のX線回折を測定したところ、SrTiO↓3は<;100>;方向に配向していることが示された。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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