立方晶窒化ホウ素の気相合成法

開放特許情報番号
L2006004844
開放特許情報登録日
2006/9/1
最新更新日
2015/10/5

基本情報

出願番号 特願2000-348883
出願日 2000/11/16
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2001-302218
公開日 2001/10/31
登録番号 特許第3605634号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 立方晶窒化ホウ素の気相合成法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造、表面処理
適用製品 エレクトロニクス用デバイス、オプトエレクトロニクス用デバイス
目的 フッ素あるいはフッ素を含むガス種を気相の一成分として用い、さらに基板バイアスを用いるとともに、気相中の水素とフッ素の原子数比を2以下とした、結晶性のよい立方晶窒化ホウ素の低圧気相合成法の提供。
効果 立方晶窒化ホウ素は、ダイヤモンドに次ぐ硬さ,熱伝導率を持ち、鉄系金属との反応性の低さから、本技術による結晶性のよい立方晶窒化ホウ素膜は切削工具のコーティングに有望である。また、結晶性が良いので本来の特性を発揮することができ、p,n − 半導体、さらには、高圧合成で成功しているpn接合によるダイオード、トランジスター等のデバイスを作ることができる。
技術概要
本技術は、ホウ素源と窒素源のガスをプラズマを用いて活性化し、フッ素ガスあるいはフッ素を含むガス種を気相の一成分として用い、窒化ホウ素を析出させる方法において、基板バイアスを用いるとともに、気相中の水素とフッ素の原子数比を2以下とすることで基板上にラマンスペクトルにおいて1305±35 cm↑(−1)に光学的縦波モードのフォノンによる特性散乱、または1056±35 cm↑(−1)に光学的横波モードのフォノンによる特性散乱のいずれか、又は両方の特性散乱を明瞭に示す立方晶窒化ホウ素膜を析出させるようにした、立方晶窒化ホウ素の気相からの合成法を提供するものである。この際、窒化ホウ素を析出させる基体は、シリコン等の半導体、石英等の絶縁体、モリブデン等の金属いずれでも用いることができ、また、本技術の合成法においては、基板バイアスによるイオン衝撃を利用しているため、室温から1400℃の広い範囲の基板温度を利用できるが、特に結晶性の良い立方晶窒化ホウ素の合成には500〜1400℃の基板温度が望ましい。更に、立方晶窒化ホウ素の生成のためには、基板バイアスが必要であり、直流負バイアスあるいは高周波の自己バイアスを利用できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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