酸化物超伝導体の製造方法

開放特許情報番号
L2006004831
開放特許情報登録日
2006/9/1
最新更新日
2015/10/5

基本情報

出願番号 特願2000-249503
出願日 2000/8/21
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2002-060222
公開日 2002/2/26
登録番号 特許第3607940号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 酸化物超伝導体の製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 単結晶、ウィスカー、薄膜、超伝導マグネット、冷凍機
目的 Bi系2212酸化物超伝導体の結晶成長速度を飛躍的に高めることができ、超伝導体の合成時間の短縮化を図り、結晶サイズの大型化および超伝導特性の向上をも可能とする、新しい酸化物超伝導体の製造方法の提供。
効果 Bi系2212酸化物超伝導体の結晶成長速度を飛躍的に高めることができ、超伝導体の合成時間の短縮、超伝導特性の向上および結晶サイズの大型化が可能となる。
技術概要
 
本技術は、Bi↓2Sr↓2CaCu↓2O↓X化合物系超伝導相を主体とする酸化物超伝導体の製造において、酸素分圧を変動させることなく、結晶生成熱処理における焼成雰囲気の酸素分圧を0.50barを超えて0.80bar以下としたものである。また、Bi系2212超伝導体は、Al、AgまたはPbあるいはその2種以上が、添加または置換されているものが好適である。Bi系2212超伝導体の製造においては、本技術の熱処理に先立って、従来公知の方法によって前駆体を製造することができ、この前駆体の製造方法としては、たとえばディップコーティング法、ドクターブレード法、溶融凝固法およびプラズマスプレー法やその他各種の方法が選択される。このように熱処理雰囲気の酸素分圧が0.50barを超えることによって、従来知られている大気中(酸素分圧約0.20bar)、さらには、酸素分圧0.50bar以下の方法に比べて、結晶成長速度を大きく向上できる。また、酸素分圧を0.80bar以下とすることで、純酸素(分圧約1.00bar)雰囲気とする公知の方法に比べて結晶成長速度を大きく向上できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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